三星实现技术里程碑：新型NAND闪存功耗降低96%，完美契合智能手机需求

（AI云资讯消息）三星在下一代DRAM和NAND闪存技术开发领域持续领跑，据悉该公司将在2026年的国际消费电子展上展示全新的LPDDR6技术。而更令人瞩目的是，三星已成功研发出一种新型NAND闪存，实现了惊人的96%功耗降低。当前，人工智能数据中心、智能手机等应用对存储的需求正呈指数级增长，伴随这种爆发式增长，NAND闪存的功耗阈值也将大幅攀升。若这项突破性技术能早日投入量产，无疑将精准契合产业发展需求。

由34位研究人员联合发表的题为《用于低功耗NAND闪存的铁电晶体管》的论文已在全球顶尖学术期刊《自然》上发表。该项研究最初围绕氧化物半导体展开，据报道，由于这类材料存在高阈值电压问题，并不适用于高性能芯片。然而研究人员却意外发现，该特性反而能成为降低NAND闪存功耗的关键突破口，随着堆叠层数增加与容量提升，这一发现将为节能技术注入全新动力。

通过阻断低于阈值电压的电流，这项技术能够有效控制漏电流，从而提升能效表现。在NAND闪存中，它采用单元串结构，将存储数据的单元以串联方式连接。随着单元数量增加，功耗也会相应上升，原因之一在于即使单元开关关闭后仍会发生漏电现象。此外，随着堆叠层高的增加，读写操作所需功耗也会同步攀升。

研究人员针对这些技术痛点创新性地推出全新机制，使新型NAND闪存功耗较传统存储芯片降低逾96%。虽然报告未明确该技术何时实现商业化，但一旦进入量产阶段，其卓越能效将惠及全行业。当前仍需等待UFS 5.0芯片搭载于智能手机等移动计算设备，同时期盼三星电子能顺利推进研发进程，避免遭遇意外技术障碍。