鉴于散热性能问题，苹果iPhone芯片采用英特尔先进制程可能性几乎为零

（AI云资讯消息）最近一段时间有媒体报道，苹果可能为计划于2027年推出的最低端M系列芯片，以及2028年的非Pro版iPhone芯片，选用英特尔的18A-P制程工艺。该报道进一步指出，预计于2028年面世的苹果定制专用集成电路也将采用英特尔的嵌入式多芯片互连桥接封装技术。

苹果已与英特尔签署保密协议，并获取了先进18A-P制程的工艺设计套件样本用于评估。英特尔18A-P制程是其首个支持Foveros Direct 3D混合键合技术的节点，该技术可通过硅通孔实现多芯片的立体堆叠。

然而，当前多位行业内部人士在论坛发表评论，给英特尔代工苹果iPhone芯片的期望浇了一盆冷水。这一悲观论断的核心，源于该芯片制造商对其18A与14A制程节点全面押注背面供电技术这一争议性决策。

英特尔对尖端18A及14A制程节点采取了全面押注背面供电技术的策略，这与台积电同时提供含背面供电技术和不含该技术的多元制程节点不同。

诚然，背面供电技术确实能带来一定的性能提升：由于电力通过芯片背面更短、更厚的金属路径传输，降低了电压降，使得芯片能在更高且更稳定的频率下运行；同时释放了正面布线资源，从而提升晶体管密度，缓解布线拥塞并缩短线路长度。

然而对于移动芯片而言，这种技术带来的性能提升相当有限。更关键的是，该技术会导致更严重的自热效应，需要对芯片增加额外的散热措施。事实上，根据相关讨论，采用背面供电技术后，要使芯片热点区域维持相同温度，散热器必须额外降低约20摄氏度，由于垂直方向的热扩散效率本就欠佳，而移除厚硅衬底后横向热扩散能力进一步恶化，这在依赖风冷或存在外壳最高允许温度限制的多数应用场景中根本无法实现。

基于这些棘手的热管理问题，业内专家认为英特尔短期内绝无可能获得苹果iPhone芯片的代工订单。当然，M系列处理器仍存在合作可能。