三星宣布已开发首款10纳米级第三代超高性能和高功效DRAM

3月21日消息，全球领先的高级存储技术公司三星电子有限公司（Samsung Electronics）今日宣布，该公司在业界首次开发了第三代10纳米级（1z-nm）8GB超高性能和高功效的DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器）。

自开始大规模生产第二代10纳米级8GB DDR4以来，短短16个月内，三星电子在不使用Extreme Ultra-Violet（极紫外线光刻技术工艺，一种更复杂的芯片制造技术）处理的情况下开发10纳米级（1z-nm）8GB第三代DDR4，意味着三星进一步提高了DRAM的扩展极限，在这一领域取得了领先地位。

随着10纳米级成为业界最小的内存处理节点，三星现在已经准备好用其新的10纳米级（1z-nm）DDR4-DRAM来满足日益增长的市场需求，其生产效率比以前的1Y纳米级版本高20%以上。

据悉，10纳米级（1z-nm）8GB第三代DDR4的批量生产将于今年下半年开始，以适应下一代企业服务器和有望在2020年推出的高端PC。

三星电子DRAM产品与技术执行副总裁李荣培（Jung Bae Lee）表示：“我们致力于突破技术领域的最大挑战，推动实现更大的创新。很高兴能再次为下一代DRAM的稳定生产奠定基础，确保性能和能源效率的最大化。随着我们推出10纳米级（1z-nm）的DRAM系列产品，三星将继续致力于支持其全球客户部署尖端系统，并推动高端内存市场的增长。”

三星开发的10纳米级（1z-nm）DRAM为全球IT加快朝着下一代DRAM接口（如DDR5、LPDDR5和GDDR6）过渡铺平了道路，这些接口将推动未来的数字创新。接下来那些具有更高容量和性能的10纳米级（1z-nm）产品将增强三星在市场的业务竞争力，巩固其在高端DRAM市场应用的领导地位，包括服务器、图形和移动设备等领域。

据报道，在与一家CPU制造商就8GB DDR4模块进行全面验证后，三星将积极与全球客户合作，向其提供一系列即将面世的内存解决方案。为了满足目前的行业需求，三星计划在其Pyeongtaek网站增加主要内存生产的比重，同时与全球IT客户合作，以满足市场对最先进DRAM产品日益增长的需求。