GlobalFoundries eMRAM存储有望取代物联网中的嵌入式闪存

随着物联网(IoT)的持续快速增长，最终用户自然希望这些设备运行的硬件变得更强大。GlobalFoundries希望在存储方面解决这一问题，今天宣布其嵌入式磁阻非易失性存储器(eMRAM)已在其22nm平台22FDX上投入生产。

GlobalFoundries eMRAM旨在通过提供性能，可靠性和功耗方面的改进来替代老化的NOR闪存(一种在许多设备中使用的嵌入式闪存)。它还将针对人工智能(AI)，自动驾驶汽车和其他较新的微控制器用途。GlobalFoundries并未透露将利用其eMRAM的特定产品，但表示正在“与多个客户合作，并计划在2020年进行多个生产工作”。

据说，新的eMRAM具有非常强的鲁棒性，可以将数据保持在-40摄氏度至125摄氏度的温度范围内，并且可以承受100,000个周期，因此可以将数据保留长达10年。

这些数字远远高于当今SSD中NAND存储器所提供的数字，但是eMRAM并不是要取代NAND。相反，它以存储系统代码的设备中的NOR闪存(eFlash)为目标，并且可以定期通过更新或日志记录进行重写。

我们看到了特斯拉在闪存不够耐用时会发生什么。此类示例强调了AI和自动驾驶汽车等应用程序中高度耐用的非易失性存储器的重要性。

写入速度的提高主要归因于技术的本质。基于磁阻原理，对存储材料的写入在写入所需数据之前不需要擦除周期，从而大大提高了写入速度。宏容量从4-48Mb不等，将作为合作伙伴的嵌入式工具包提供。

“我们继续致力于通过功能强大，功能丰富的解决方案使我们的FDX平台与众不同，使我们的客户能够为高性能和低功耗应用构建创新产品，”汽车和工业多市场高级副总裁兼总经理Mike Hogan GlobalFoundries在一份声明中说。

“我们的差异化eMRAM部署在业界最先进的FDX平台上，在易于集成的eMRAM解决方案中提供了高性能RF，低功耗逻辑和集成电源管理的独特组合，使我们的客户能够提供新一代的超高性能-低功耗MCU和连接的IoT应用程序。”

但是，GlobalFoundries并不是从事eMRAM的唯一一方。三星大约在一年前开始在28nm平台上开始批量生产eMRAM，而英特尔一直在研究一种稍有不同的技术，称为SST-MRAM。

GlobalFoundries目前正在与客户合作，并将于2020年开始交付。22FDX eMRAM的生产将在德国德累斯顿的300nm Fab 1上进行。