三星有望超越台积电成为首家在美国量产2纳米制程的代工厂 计划2026年一季度量产

（爱云资讯消息）韩国巨头三星计划扩大在美国芯片市场的影响力，三星泰勒工厂或于2026年量产2纳米芯片，有望领先台积电在美国引入2纳米制程技术。

在芯片制造领域，三星向来野心勃勃，但往往受困于良品率不足或企业投入力度不够等问题。如今面对台积电在美国市场的风生水起，这家韩国巨头显然不愿错失良机。据外媒报道，三星正通过在美国率先量产2纳米芯片来加强竞争态势，三星泰勒工厂的生产线已启动相关筹备工作。

美国2纳米芯片生产目前仍处于规划阶段，但三星对此态度比较乐观，因为科技巨头们对采购美国本土芯片表现出很大的意向。据称，三星最早可能在2026年1月或2月启动2纳米制程的量产，目前三星公司正将研发资源向泰勒工厂倾斜。虽然三星在美国的业务始终未能像台积电那样成功，但这家韩国巨头显然决心实现突破，不过目前泰勒工厂能否如期进入芯片量产阶段仍存在不确定性。

三星最初计划在美国生产4纳米芯片，在获得《芯片法案》拨款后更是加大投入，尽管斥资投入巨大，但是始终未能实现量产。如今随着生产计划调整为2纳米制程，外界正密切关注三星能否兑现承诺。三星需要将注意力从亚利桑那州的台积电工厂转移开以提升自身影响力，而实现这一目标的关键，或在于能否率先在美国推出成熟可用的2纳米制程技术。

就2纳米制程而言，目前业界传出的消息颇为乐观。据报道，三星良率提升进展迅速，目前已达到40%水平。虽然相较台积电2纳米制程60%的良率仍有差距，但这家韩国巨头显然已具备在这一工艺节点竞争的实力。不过更关键的问题在于：三星能否将良率提升至足以支撑大规模量产的水平？