三星下一代Exynos芯片或将采用1.4 纳米工艺，能效提升25%

（AI云资讯消息）在三星对其尖端的 1.4 纳米光刻工艺有足够信心之前，2 纳米 GAA 工艺还将经历几轮迭代，但这并不意味着该公司不能率先在新制程上开始测试其下一代 Exynos SoC。早期规格细节显示，三星将把最高时钟频率推至新高度，更不用说系统级缓存（SLC）一举提升至惊人的 96MB。

Exynos 2700 尚未发布，三星首款 1.4 纳米 SoC 的一些细节已曝光。尽管此前有传闻称三星在这一技术上举步维艰，被迫转向 2 纳米制程，因其更注重良率稳定性而非与台积电竞争。不过，初步细节显示，这款在 1.4 纳米工艺上测试的新 Exynos 将采用 10 核 CPU 集群，以2 + 4 + 4配置排列。

两颗 Prime 核心运行频率为 4.50GHz，性能核心为 3.80GHz，四颗能效核心则为 2.00GHz。不过，这款未命名 Exynos SoC 最令人瞩目的细节或许是集成了 96MB 的系统级缓存（SLC），爆料还提到其拥有超宽总线宽度，可最大程度降低 CPU 核心与 GPU 之间的延迟。SLC 通过在缓存中存储常用数据来降低内存延迟并提升带宽。

缓存容量越大，系统整体运行速度就越快，同时效率也更高，因为 CPU、GPU、NPU、ISP 等组件无需时刻保持活跃来向大容量缓存传输信息。遗憾的是，其缺点是 SLC 会占据芯片晶圆的很大一部分面积，而晶圆面积越大，芯片组的量产成本就越高。

不过，目前智能手机芯片中最大的 SLC 缓存为 10MB，搭载于天玑 9500，因此将其一举提升至 96MB 将迫使三星开发出与手机外形尺寸不相兼容的晶圆面积。好在它还有其他应用场景，但由于这些只是初步规格，无论多么令人惊叹，眼下仍需持保留态度。