三星将有意减缓明年内存芯片产出

知情人士表示，韩国三星电子(Samsung Electronics Co.)计划明年限制内存芯片产量，从而在预计内存芯片需求放缓之际保持供需平衡。

该知情人士说，此举将有助于维持或推高半导体价格。他表示，三星目前预计动态随机存取存储器的位元成长率不到20%，而NAND闪存的位元成长率约为30%。三星今年早些时候表示，预计2018年DRAM内存和NAND闪存的位元成长率分别为20%和40%。

位元成长率是衡量内存芯片市场需求的一个关键晴雨表。较弱的预测可能导致芯片制造商削减诸如设备和材料订单的投资，同时限制供应，推高价格。目前三星是全球最大的NAND和DRAM生产商，与海力士半导体和一起，主导着智能手机、电脑和其他存储数字数据设备的关键原料供应。

如果三星真的削减DRAM内存的位元成长率，这表明该公司对目前的寡头垄断市场结构感到满意。“它倾向于保持供应紧张和价格高企，而不是冒着价格下跌的风险抢占市场份额，因此DRAM内存价格保持强劲的概率更高。”

三星就此拒绝置评。

半导体业务目前是三星规模最大、最赚钱的业务，因为它为自己的设备生产芯片，同时向其他智能手机制造商销售内存芯片。芯片业务在2017年创造了35.2万亿韩圆(合314亿美元)的营业收入，较上年同期增长了一倍多，帮助推动该公司的盈利达到创纪录水平。

在2017年创下历史新高之后，三星的股价今年以来下跌了7.3%。

本月早些时候，摩根士丹利(Morgan Stanley)以肖恩?金(Shawn Kim)为首的分析师预测，服务器端DRAM内存芯片的前景趋弱，并对库存增加发出警告。

根据市场研究公司IC Insights的数据，2017年内存芯片行业DRAM位元成长率为20%，仅为2016年40%的一半。虽然服务器推动了对内存的需求，但全球智能手机销售的停滞却引发了对半导体市场增长的担忧。

除了半导体业务之外，三星还生产Galaxy智能手机和苹果公司iPhone使用的OLED屏幕。