三星宣布HBM4正式量产，速度最高达13Gbps，容量达48GB

（AI云资讯消息）三星已正式启动下一代HBM4内存的量产及出货，该内存速度最高可达13 Gbps，容量达48 GB。

HBM4将成为下一代数据中心芯片所采用的内存标准，例如英伟达的Vera Rubin和AMD的Instinct MI450系列。

通过率先采用其最先进的第六代10纳米级DRAM制程（1c），三星从量产初期便实现了稳定的良率和行业领先的性能，整个过程无缝衔接，无需任何额外重新设计。

三星HBM4提供11.7Gbps的稳定处理速度，较行业标准的8Gbps提升约46%，为HBM4性能树立了新标杆。这一速度较上一代HBM3E最高9.6Gbps的引脚速度提升1.22倍。同时，HBM4的性能还可进一步提升至13Gbps，有效缓解了随着AI模型规模持续扩大而日益加剧的数据瓶颈问题。

此外，单堆栈总内存带宽较HBM3E提升2.7倍，最高可达3.3TB/s。

通过12层堆叠技术，三星提供24GB至36GB容量的HBM4产品。公司还将根据未来客户的时间规划，采用16层堆叠技术扩展容量选项，最高可提供48GB容量。

为应对数据I/O从1024个引脚翻倍至2048个引脚所带来的功耗与散热挑战，三星已在核心裸晶中集成了先进的低功耗设计解决方案。HBM4还通过低压硅通孔（TSV）技术和配电网络（PDN）优化，实现了40%的能效提升，同时较HBM3E耐热性提高10%，散热性能提升30%。

凭借卓越的性能、能效及高可靠性，三星HBM4可满足未来数据中心环境的需求，助力客户实现GPU吞吐量最大化，并有效管理总体拥有成本（TCO）。

三星致力于通过全面的制造资源推进HBM路线图，包括业界最大的DRAM产能之一及专用基础设施，从而确保供应链韧性，以应对预计激增的HBM4需求。

三星电子旗下晶圆代造与内存业务部门通过紧密协作的设计技术协同优化（DTCO），得以确保最高标准的质量与良率。此外，凭借在先进封装领域深厚的内部技术专长，公司能够实现简化的生产周期并缩短交付时间。

三星还计划通过与全球GPU制造商及专注于下一代ASIC开发的大型云服务商深入探讨，拓宽与关键合作伙伴的技术合作范围。

三星预计2026年HBM销售额将较2025年增长两倍以上，并正积极扩充HBM4产能。继HBM4成功推向市场后，HBM4E样品预计将于2026年下半年开始供应，而定制化HBM样品则将根据客户各自规格，于2027年起陆续交付。