西部数据与东芝已经开发出128层512Gb 3D TLC NAND芯片

日前，Blocks＆Files新闻报道称，西部数据和东芝已开发出128层512Gb 3D TLC NAND裸片，是东芝下一代3D NAND技术，被命名为BiCS5，目前的最新技术是BiCS4，是96层3D TLC，BiCS3为64层。

Wells Fargo高级分析师Aaron Rakers建立了一个生产模型，假设尺寸为66mm2，密度7.8Gb / mm2 。他认为东芝和西部数据将具有业界最高的NAND Flash密度。

对于3D NAND技术的发展速度，业内人士感到震惊！但是128层产品上市的速度不会那么快，预计未来2年内不会出现真正意义上的128层产品。

128层相较于目前最新的96层在层数上再增加33%，将具有更大的容量和更低的成本。不过，要实现128层3D NAND的量产，以及在市场上普及，却要花费1 -2年的时间，预计在2020年底才会实现量产，2021年产量逐步增加。

128层技术的发展可能会跟96层一样，甚至需要花费更长的时间。因为随着3D NAND堆叠层数越来越多，会使生产周期延长，而且初期良率也不佳。据悉，东芝和西部数据早在2017年6月宣布成功研发出96层3D NAND，但2018年9月才量产，时隔1年多的时间，因此2年内不会看到真正意义上的128层产品。

除了东芝和西部数据，三星也正在积极投入128层3D NAND的研发，这对于美光/英特尔、SK海力士、长江存储等同行竞争对手而言是不小的压力，尤其是长江存储。

从2D NAND开始，3D NAND的概念制造方式

继32层3D NAND在2018年投入量产后，长江存储基于Xtacking™架构的64层NAND样品也已经送至合作伙伴，并计划在2020年跳过96层3D NAND，直接进入128层堆叠。长江存储是打算在128层发力，快速缩短与三星、东芝等国际大厂之间的技术差距。

2019年初三星、东芝、美光基于96层3D NAND已推出了UFS、SSD、MicroSD等新品，但实际供货给客户的可能暂时只有东芝一家，所以市面上主流供货的仍是64层/72层3D NAND。不过，未来的一年内里，各家原厂会将重点放在提高96层3D NAND产量上，预计到年底才会成为主流技术，2020年才能实现在市场上的广泛普及。

如今，三星、东芝/西部数据推进128层3D NAND技术发展，说明下一代技术已列入了部分原厂技术发展的进程表，长江存储作为国内专注于3D NAND技术研发的企业，面对国际大厂之间越来越激烈的竞争，更要加快步伐。