世界首款3D高密度NOR闪存原型芯片亮相 国产新一代闪存芯片或能突围？

当地时间8月6日至8日，2019全球闪存技术峰会（Flash Memory Summit）在美国加利福尼亚州圣克拉拉会议中心举行，吸引了6500余名与会者、120家参展商，其中不乏华为、浪潮、诺存微电子等“中国面孔”。

据悉，该国际性峰会每年举办一次，由全球闪存技术学会举办，由论坛、展会两部分组成，仅面向全球存储业内的技术企业、研发人员和供应商等专业人士开放。行业头部企业如今年宣布推出28纳米级FD-SOI工艺的eMRAM商业化生产的三星（Samsung）、今年发布业界首款QLC企业级固态硬盘的美光（Micron）等纷纷到会；西部数据（Western Digital）的Siva Sivaram博士、Christopher Bergey，东芝（Toshiba）的Jeremy Werner、Shigeo Ohshima，IBM的Steven Eliuk，英特尔（Intel）的Alper Ilkabahar，等等存储业专家发表了主旨演讲；诺存微电子携世界首款3D高密度NOR闪存原型芯片, 以及国内首批含DTR倍速功能的Octa-SPI和Quad-SPI高速NOR闪存ExpresNOR™系列产品亮相；美光公司总裁Sanjay Mehrotra获得峰会组委会颁发的终身成就奖。

国产新一代闪存芯片或能突围？

人工智能、5G、物联网、大数据等技术的快速发展，带来数据的爆炸式增长，以及对存储芯片前所未有的需求，存储介质和架构也将迎来更快速的更迭变化。据2018年中国闪存市场峰会公布数据，全球半导体存储市场规模达到1500亿美金，其中NAND闪存市场超过570亿美金；中国消耗了全球产能的32%，已成为全球存储产业的支柱市场。然而，全球NAND闪存市场几乎被三星、东芝、美光、SK海力士四大巨头垄断，NOR闪存近43亿美金的市场份额也几乎被赛普拉斯、旺宏、美光、华邦、兆易创新五大厂商瓜分。

“传统NOR闪存主要是平面结构，但其2D设计已经接近物理上的极限，为克服产品可靠性降低、成本攀升，3D是技术变革趋势；而世界上3D技术目前主要针对NAND闪存芯片，NOR没有3D结构推出，”初出茅庐、成立于2015年的的诺存微电子选择以自主知识产权技术创新“杀出重围”——“我们研发了世界首款三维高密度NOR闪存原型芯片，兼具传统NOR的性能优势和NAND的成本优势，通过缩减NOR闪存SLC单元大小至仅4F2来大幅降低制造成本，同时保持NOR的随机访问功能，适用于代码运行和数据存储；低成本+高性能，可与传统NOR和NAND两者相竞争。”其创始人彭海兵博士介绍。

经查询，其三维非易失性NOR型闪存于2015年12月申请发明专利，2018年9月已获授权。

“志存高远”也要“脚踏实地”

专注于自主知识产权技术创新，以求冲击市场、不断壮大，似乎是年轻的知识密集型高科技公司的常见战略选择。但据了解，这家具有启迪科服、中金前海、中科创星等旗下基金投资背景及由海归博士、国际知名技术专家、高级管理人才组成的核心团队的“志存高远”的企业，在“聚焦3D结构NOR闪存领域”之外，也同时贯彻执行着一些趋于务实的市场策略。

这种思路被彭海兵称为“分步走”——即，“中长期主推专利技术型高密度存储阵列，辅以注重高性价比的短期产品及以兼容性替代流行竞品的市场模式”。2018年底，其首推的含DTR倍速功能的高速Octa-SPI及Quad-SPI NOR闪存产品，具备高速读取、高可靠性、低成本特点，填补了国内空白；而具备提速16倍、引脚少、与传统SPI完全兼容三大优势的高性能ExpresNOR™系列产品，可广泛应用于安防系统、路由器、网关、物联网、手机、消费电子、电脑BIOS、电信设备、汽车电子、工业控制设备及其他智能电子设备。