- 三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品
- 2023年9月1日，三星宣布采用12纳米(nm)级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：五代双倍数据率同步动态随机存储器）。这是继2023年5月三星开始量产12纳米级16Gb DDR5 DRAM之后取得的又一成就，这巩固了三星在开发下一代DRAM内存技术领域中的地位，并开启了大容量内存时代的新篇章。
- 8.5 Gbps！三星LPDDR5X DRAM运行速度创新高
- 10月18日，三星宣布，其最新的LPDDR5X内存已通过验证，可在骁龙（Snapdragon®）移动平台上使用，该内存速度可达到当前业界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通过优化应用处理器和存储器之间的高速信号环境，三星超过了自身在今年3月创下的7.5Gbps的最高运行速度，夯实了在内存市场的地位。
- 三星LPDDR5X DRAM已在高通骁龙移动平台上验证使用
- 自去年11月开发出三星首款基于14nm的LPDDR5X DRAM以来，三星与高通技术公司密切合作，优化7.5千兆比特每秒(Gbps)的LPDDR5X，用于骁龙移动平台。LPDDR5X的速度比目前高端智能手机上的LPDDR5 (6.4Gbps)快约1.2倍，有望在下一代智能手机上提升超高分辨率视频录制性能和语音识别、图像识别、自然语言处理等人工智能功能。
- Dynatrace确保FedRAMP中等影响级别的授权
- 软件情报公司 Dynatrace宣布，其完整的软件情报平台已获得FedRAMP的“中等影响级别”授权。获得总务管理局(GSA)FedRAMP程序管理办公室(PMO)的FedRAMP授权，意味着更多美国联邦政府机构可以从Dynatrace平台中受益，包括以AI为动力的应用程序，基础设施，日志和用户体验的可观察性，以实现其数字化更高效率，更简单，更快捷的转型和任务目标。
- 紫光建DRAM厂 加速布局内存版图，这让台厂有点担心
- 8月27日，紫光集团宣布，将投建一座专注于12英寸DRAM存储芯片制造的工厂，该工厂将于今年年底开工，预计2021年建成投产。中国台经院研究员对此表示，大陆积极补足内存版图上的空白，但中国台湾地区恐面临人才的流失。
- 三星量产全新LPDDR5 DRAM芯片 支持5G和AI功能
- 随着无线网络和移动CPU的速度越来越快，便携式设备中使用的RAM速度实际上可能会成为性能瓶颈，从而阻止它们以峰值速度处理数据。三星正在竭尽全力提升下一代移动设备的性能，该公司今天宣布已经开始批量生产12 Gigabit LPDDR5 DRAM芯片，旨在“在未来智能手机中支持5G和AI功能”。
- 三星宣布已开发首款10纳米级第三代超高性能和高功效DRAM
- 3月21日消息，全球领先的高级存储技术公司三星电子有限公司（Samsung Electronics）今日宣布，该公司在业界首次开发了第三代10纳米级（1z-nm）8GB超高性能和高功效的DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器）。
