《2025存力发展报告》：我国存力规模达1680EB，国产存储介质、芯片、系统实现三级突破

8月23日，在2025中国算力大会开幕式上，《2025存力发展报告》（以下简称“报告”）正式发布。报告显示，截至今年6月底，我国存力规模达1680EB。存力建设迈向协同升级新阶段，呈现出区域梯次布局、单机架密度提升、闪存渗透率提高的三大特征。

报告显示，截至今年3月底，在区域存力规模方面，东部占比55%，中部增长39%，西部增长63%。在先进存力应用方面，全国外置闪存占比超过28%，金融、制造、互联网三个行业渗透率超45%。

数据时代驱动存力技术创新发展，全闪存化建设成为AI基础设施优先选择。报告显示，大模型训练对存储提出毫秒级延迟、TB级带宽、EB级扩展要求，推动全闪化、AI数据湖、内生存储安全等技术同步发展。介质层面，闪存颗粒3D堆叠层数突破300层，单位可用容量成本基本与HDD持平；系统层面，NVMe-oF、RDMA网络与分布式纠删码组合方案已在金融、电信运营、医疗等典型场景中批量应用；基础设施建设方面，先进存力中心建设模式已在全国进行试点并开展产业化应用。

报告指出，产业链自主可控能力持续增强，国产存储介质、芯片、系统实现三级突破。上游方面，长江存储QLC芯片单晶粒容量达2Tb；中国科学院上海光机所光存储实现单盘Pb级、寿命可达40年。中游方面，华为、曙光、浪潮等企业完成从SSD控制器、分布式存储系统到整机的垂直整合，国产存储产品连续多年在全球评估体系中蝉联榜首。下游方面，金融、医疗、能源三大行业的国产化存储应用方案已覆盖核心应用场景，并形成可复制推广的标准体系。

报告显示，先进存力正成为支撑金融、电信、医疗、能源等行业转型升级、高质量发展的关键力量，在构建金融安全合规体系、搭建运营商云网融合弹性底座、保障医疗关键场景零中断、支撑能源系统智能化转型等方面有显著效果。

报告还提出了推动中国存力发展的战略建议，包括加强先进存储技术创新、探索先进存力中心建设模式、推广先进存储技术应用等，旨在通过技术创新和政策引导，促进存力技术的高质量发展，为中国数字经济持续增长提供坚实支撑。