长鑫存储“双芯“亮相IC China，首发DDR5高端新品最高速率达8000Mbps

11月23日，长鑫存储在IC China 2025（中国国际半导体博览会）上正式发布其最新DDR5产品系列：最高速率达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb，均达到国际领先水平，并同步推出覆盖服务器、工作站及个人电脑全领域的七大模组产品。

此次长鑫存储以“双芯共振，5力全开”为主题，同台展示了最新DDR5系列产品以及最高速率10667Mbps、最高颗粒容量16Gb的最新LPDDR5X移动端内存。其两大产品系列速率、容量双维度均位居业界第一梯队，标志其产品性能与布局已全面达到全球主流高端水准，国产存储芯片具备与国际一线大厂同台竞技的技术实力。

随着处理器核心数量与AI模型规模持续增长，算力系统对内存速率的需求大幅提升。长鑫存储最新发布的8000 Mbps DDR5 芯片，较6400Mbps产品速率提升25%。当前市场基准中，6400 Mbps代表服务器与高端PC的主流性能层级，而8000 Mbps则已迈入国际顶级性能梯队。

在内存容量上，长鑫存储在标准16Gb 颗粒以外，重点推出24Gb大容量颗粒，对于大规模数据中心具有显著优势，能在不占用额外物理插槽的前提下，显著提升系统的模型加载能力与多任务处理效率，满足数据中心快速扩容的刚需。

长鑫存储依托先进的颗粒，推出了完整的模组产品矩阵，本次展出的七大模组实现从云到边缘端的全场景涵盖：覆盖数据中心和企业级服务器的RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM，适配主流台式机与PC的UDIMM，满足笔记本电脑和紧凑型设备的 SODIMM，以及面向高端超频与工作站市场的CUDIMM、CSODIMM等新型时钟驱动模组。其中，在占据 DRAM最大份额的服务器市场，长鑫存储RDIMM提供多种容量，覆盖主流平台内存配置；在MRDIMM等前沿领域的布局，显示长鑫已具备支持下一代服务器平台与新型互连标准的实力。

长鑫存储此次展出的面向下一代高算力需求场景的CUDIMM、CSODIMM模组，紧跟国际标准组织JEDEC于2024年发布的产品标准。上述新型产品作为DDR5向更高频率演进的关键形态，通过集成 CKD（时钟驱动芯片），有效解决高频信号衰减的瓶颈，为PC与工作站运行更高频率提供了坚实保障。

近期长鑫存储新品发布动作频频，本次同台展示了10月最新发布的LPDDR5X产品，该产品为针对移动市场旗舰产品开发的低功耗内存，最高速率10667Mbps，并涵盖12GB、16GB、24GB、32GB等容量的多种封装解决方案。

长鑫存储市场中心负责人骆晓东表示，当前DRAM需求的爆发式增长对市场供给、价格都带来了巨大的影响，中国需要有稳定的国产DRAM产能供应，通过产能扩张和规模效应，减少对海外厂商产能的依赖。

在全球存储市场迎来AI驱动的超级周期的背景下，长鑫存储系列高端产品的发布不仅强化了具有国际竞争力的产品线，精准契合市场对高端产品的海量需求，为全球存储市场提供多元选择，并将拉动服务器、数据中心等产业生态升级，推动整个产业链向高附加值环节选代。