3纳米芯片面积比5纳米产品缩小35% 耗电量减少50%
2020-01-06 10:33:50爱云资讯
三星电子副会长李在镕近日参观正在开发“全球第一个3纳米级半导体工艺”的韩国京畿道华城半导体工厂,并听取了关于3纳米工艺技术的报告,他还与三星电子半导体部门社长团讨论了新一代半导体战略。
据了解,三星电子计划利用极紫外光刻(EUV)工艺,提高在7纳米以下精细工程市场的份额。3纳米级半导体工艺计划首先应用到三星的晶圆代工(foundry)工程之中。三星计划明年下半年在全球最早实现3纳米级芯片的批量生产。
三星电子将在最新的3纳米工程中使用不同于其他工程的新一代工艺“GAA”。三星电子负责半导体产业的部门表示,基于GAA工艺的3纳米芯片面积可以比最近完成开发的5纳米产品面积缩小35%以上,耗电量减少50%,处理速度可提高30%左右。
相关文章
- 立讯精密Optama技术助力英伟达GB200芯片,引领数据中心革命
- 立讯精密Optamax技术突破:携手英伟达GB200芯片重塑AI算力未来
- 骁龙全新旗舰芯片来了,一大批安卓神机已经在路上!
- CACLP 2024丨VPS无透镜显微成像芯片在医疗成像领域迎来新进展
- 北斗芯片产业的高质量发展之路
- 遨游推出M6,集成5G国产芯片、鸿蒙系统和独立北斗,引领国产替代
- 尽管AI需求增长,博通第一财季芯片收入仍低于预期
- 全球首台!未磁科技256通道无液氦脑磁图仪及芯片化原子磁力计正式发布
- 中国芯片、俄罗斯光刻机突破西方技术堡垒!
- 中国芯片实现重大突破,俄罗斯操作系统首次支持中国龙芯CPU!
- MWC 2024:英特尔以绿色5G核心网芯片推动网络基础设施转型升级
- 采用芯原NPU IP的AI类芯片已在全球出货超过1亿颗
- 联发科天玑又领先一步!强悍AI手机芯片就看天玑!
- AI已成芯片行业复苏关键动力,Meta/微软/微美全息等全力押注进入成长快车道
- 俄罗斯操作系统搭载中国芯片,美国震惊!两国科技自研之路引领世界潮流
- 中国芯片公司Henan Si&C CO.LTD(SICAH)计划在俄罗斯进行2亿元投资!
热门文章
头条文章
重点文章
推荐文章
热点文章