3纳米芯片面积比5纳米产品缩小35% 耗电量减少50%

2020-01-06 10:33:50爱云资讯

三星电子副会长李在镕近日参观正在开发“全球第一个3纳米级半导体工艺”的韩国京畿道华城半导体工厂,并听取了关于3纳米工艺技术的报告,他还与三星电子半导体部门社长团讨论了新一代半导体战略。

据了解,三星电子计划利用极紫外光刻(EUV)工艺,提高在7纳米以下精细工程市场的份额。3纳米级半导体工艺计划首先应用到三星的晶圆代工(foundry)工程之中。三星计划明年下半年在全球最早实现3纳米级芯片的批量生产。

三星电子将在最新的3纳米工程中使用不同于其他工程的新一代工艺“GAA”。三星电子负责半导体产业的部门表示,基于GAA工艺的3纳米芯片面积可以比最近完成开发的5纳米产品面积缩小35%以上,耗电量减少50%,处理速度可提高30%左右。

相关文章
热门文章
头条文章
重点文章
推荐文章
热点文章
关于我们|联系我们|免责声明|会展频道
冀ICP备2022007386号-1 冀公网安备 13108202000871号 爱云资讯 Copyright©2018-2023