3纳米芯片面积比5纳米产品缩小35% 耗电量减少50%
2020-01-06 10:33:50爱云资讯438
三星电子副会长李在镕近日参观正在开发“全球第一个3纳米级半导体工艺”的韩国京畿道华城半导体工厂,并听取了关于3纳米工艺技术的报告,他还与三星电子半导体部门社长团讨论了新一代半导体战略。
据了解,三星电子计划利用极紫外光刻(EUV)工艺,提高在7纳米以下精细工程市场的份额。3纳米级半导体工艺计划首先应用到三星的晶圆代工(foundry)工程之中。三星计划明年下半年在全球最早实现3纳米级芯片的批量生产。
三星电子将在最新的3纳米工程中使用不同于其他工程的新一代工艺“GAA”。三星电子负责半导体产业的部门表示,基于GAA工艺的3纳米芯片面积可以比最近完成开发的5纳米产品面积缩小35%以上,耗电量减少50%,处理速度可提高30%左右。
相关文章
- 苹果iPhone 17 Air将首发A19 Pro芯片,GPU降级为5核,图形性能弱于iPhone 17 Pro的完整6核版本
- 芯驰科技与国创中心持续深化合作,共建北京经开区车规级芯片产业生态
- 见证历史!全球领先!基于叠铖·利扬芯片 TerraSight芯片的无人矿卡成功演示!
- 全球首款L3级算力AI汽车小鹏G7上市:搭载行业最高算力芯片 19.58万元起售
- 小米玄戒O2芯片或因需通过复杂的车载多平台设备通信验证而延迟上市
- 重磅!方芯半导体推出国产EtherCAT从站控制芯片,原位替代Microchip LAN9252/9253/9254
- AI重构汽车大脑,得一微存力芯片赋能“移动智能体”
- 小米发布首款搭载自研玄戒O1芯片平板Pad 7S Pro:支持120W快充、电池容量达10610mAh
- 专访得一微董事长吴大畏:当存力芯片长出“AI大脑”
- 端侧新品,炬芯科技 ATS288X AI-Party Speaker 芯片重磅发布
- 台积电晶圆代工2.0一骑绝尘,以35%的市场份额成为全球最大芯片制造商
- 赛思获评国内通信大厂S级供方,跻身国产SLIC语音芯片领军者行列
- 中信科移动与思朗科技深化战略合作,共筑国产芯片与通信产业融合创新新高地
- 旗舰芯片性能升级关键要看“IPC”,联发科天玑9500初露锋芒
- 力合微携PLC芯片技术亮相广州光亚展和上海SNEC光伏展
- 九章云极方磊:让每一块芯片、每一度电发挥作用