GlobalFoundries eMRAM存储有望取代物联网中的嵌入式闪存
2020-02-28 20:05:31爱云资讯
随着物联网(IoT)的持续快速增长,最终用户自然希望这些设备运行的硬件变得更强大。GlobalFoundries希望在存储方面解决这一问题,今天宣布其嵌入式磁阻非易失性存储器(eMRAM)已在其22nm平台22FDX上投入生产。
GlobalFoundries eMRAM旨在通过提供性能,可靠性和功耗方面的改进来替代老化的NOR闪存(一种在许多设备中使用的嵌入式闪存)。它还将针对人工智能(AI),自动驾驶汽车和其他较新的微控制器用途。GlobalFoundries并未透露将利用其eMRAM的特定产品,但表示正在“与多个客户合作,并计划在2020年进行多个生产工作”。
据说,新的eMRAM具有非常强的鲁棒性,可以将数据保持在-40摄氏度至125摄氏度的温度范围内,并且可以承受100,000个周期,因此可以将数据保留长达10年。
这些数字远远高于当今SSD中NAND存储器所提供的数字,但是eMRAM并不是要取代NAND。相反,它以存储系统代码的设备中的NOR闪存(eFlash)为目标,并且可以定期通过更新或日志记录进行重写。
我们看到了特斯拉在闪存不够耐用时会发生什么。此类示例强调了AI和自动驾驶汽车等应用程序中高度耐用的非易失性存储器的重要性。
写入速度的提高主要归因于技术的本质。基于磁阻原理,对存储材料的写入在写入所需数据之前不需要擦除周期,从而大大提高了写入速度。宏容量从4-48Mb不等,将作为合作伙伴的嵌入式工具包提供。
“我们继续致力于通过功能强大,功能丰富的解决方案使我们的FDX平台与众不同,使我们的客户能够为高性能和低功耗应用构建创新产品,”汽车和工业多市场高级副总裁兼总经理Mike Hogan GlobalFoundries在一份声明中说。
“我们的差异化eMRAM部署在业界最先进的FDX平台上,在易于集成的eMRAM解决方案中提供了高性能RF,低功耗逻辑和集成电源管理的独特组合,使我们的客户能够提供新一代的超高性能-低功耗MCU和连接的IoT应用程序。”
但是,GlobalFoundries并不是从事eMRAM的唯一一方。三星大约在一年前开始在28nm平台上开始批量生产eMRAM,而英特尔一直在研究一种稍有不同的技术,称为SST-MRAM。
GlobalFoundries目前正在与客户合作,并将于2020年开始交付。22FDX eMRAM的生产将在德国德累斯顿的300nm Fab 1上进行。
- 芯科科技大大简化面向无电池物联网的能量采集产品的开发
- 前海翼联荣获中国物联网企业100强;深圳交通物联网连接管理项目入选行业标杆案例榜
- 从降本提效到引流增客,来朵棉花物联网毛巾机助力餐饮行业高质量发展
- 研发物联网毛巾机设备,来朵棉花完成A轮融资
- 智能生活,创新未来:维科杯·OFweek 2024(第九届)物联网行业年度评选
- 海尔的“链群合约”:物联网时代中国管理的前沿实践
- Supermicro 扩展边缘计算产品组合,推出新一代嵌入式解决方案,加速物联网和边缘 AI 工作负载的处理速度
- Qt Group与高通公司合作,简化工业物联网的用户界面开发
- 莱特波特(LitePoint)与研华科技(Advantech)利用无线设计服务改变物联网(IoT)发展
- 河南移动联合华为发布物联网智能管家NetOpsMate,斩获CCSA 2023年度SDN、NFV、网络AI优秀案例
- 一体化运维监控:全景掌控IT与物联网的智能时代
- 2024(第九届)物联网产业大会于6月18日举行-物联网大会
- 三大运营商蜂窝物联网终端用户23.64亿户 占移动网终端连接数比重达57.5%
- 富有创意的micro:bit机器人和物联网项目合集
- 联发科T300平台MWC 2024首秀,5G RedCap物联网连接高速又省电
- 联想集团携手中国联通发布《5G无源物联网系统白皮书》