长飞布局第三代半导体 多元化触角延伸

3月10日消息，今天长飞光纤光缆股份有限公司发布关于对外投资的公告，公告称：已经在3月8日组建了竞买联合体，报名参与在安徽长江产权交易所公开挂牌的《芜湖太赫兹工程中心有限公司与芜湖启迪半导体有限公司合并重组整体交易方案》的竞标。其中，长飞公司及公司全资子公司武汉睿芯投资管理有限公司出资人民币约 78,000 万元、竞买联合体出资约人民币 142,967 万元。

本次交易完成后，长飞将直接持有启迪半导体约34.92%的股权、通过太赫兹投资中心和太赫兹投资基金间接持有启迪半导体约2.18%的股权，合计持有启迪半导体约37.10%的股权，启迪半导体将成为长飞子公司，太赫兹工程中心将成为启迪半导体子公司，均纳入长飞合并财务报表范围内。

如今，随着客户需求的变化，以及企业自身发展的需要，长飞在巩固传统优势产品的同时，大力发展多元化业务，此次交易也是长飞多元化举措的重要布局。

据了解，启迪半导体及芜湖太赫兹工程中心主要从事以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体产品的工艺研发和制造，该等第三代半导体器件产品主要用于新能源汽车、通信基站、光伏等相关领域。主要业务包括碳化硅和氮化镓的外延、第三代半导体功率及射频等相关芯片制造、功率模块和功率单管封装测试等全产业链的研发生产及销售。其中，启迪半导体目前主要负责业务运营，太赫兹工程中心主要负责持有业务运营所需的相关固定资产。

随着 5G、新能源电动车等新兴应用对功率元件效能需求提高，相较于第一代材料硅（Si）、锗（Ge）以及第二代砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）对于温度、频率、功率已达极限，难以应用在更严苛环境上，第三代半导体的碳化硅（SiC）及氮化镓（GaN）在耐高温、高电流的环境下仍有极佳效能。

GaN 适合高频、中高压领域（低于900V）特性，适合制作射频元件（GaN RF 射频），如Wi-Fi、GPS定位、卫星通讯甚至是军用雷达。除了5G 射频、快充，GaN 未来发展重点：新能源汽车和数据中心。而SiC具有高功率、更高压（超过1200 V）的特性，适合用在特高压电网、风电、太阳能、储能及新能源车。

2021年多个国家政策加码第三代半导体产业，我国也不例外。其中《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》中的科技前沿领域攻关专栏的集成电路中提到：“集成电路设计工具、重点装备和高纯靶材等关键材料研发，集成电路先进工艺和绝缘栅双极性晶体管（IGBT）、微机电系统（MEMS）等特色工艺突破，先进存储技术升级，碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展。”之后科技部、工信部全面加大了对第三代半导体产业的支持和投入力度。

相关机构预测：2025 年全球功率半导体元件及模组市场规模将达274 亿美元，其中第三代半导体SiC/GaN 市场占比从2021 年不到5%，扩大至2025 年约17%。