旭化成推出新型感光干膜SUNFORT，助力先进半导体封装制造工艺

近日，旭化成株式会社（以下简称“旭化成”）宣布成功开发出面向AI服务器等先进半导体封装制造工艺的全新感光干膜“SUNFORT™ TA系列”（以下简称“TA系列”）。感光干膜是旭化成电子业务的核心产品之一，此次推出的“TA系列”专为应对快速增长的下一代半导体封装需求而设计，可兼容传统的Stepper曝光设备※1，和LDI（激光直写）曝光设备※2两种曝光方式，在不同设备条件下均能实现极高的图案解析度，有助于在封装工艺中提升基板微细线路图案的成型性能。

感光干膜“SUNFORT™”

用于AI服务器等先进半导体封装的中介层（Interposer）※3及封装基板，不仅需要具备大面积、高多层的结构特性，同时对高密度微细线路的形成技术也有很高要求。作为形成这些微细线路的再配线层（RDL），长期以来由于在解析度方面的局限，液态光刻胶一直为主流材料。然而，相较于液态光刻胶，感光干膜在面板尺寸适配性、易操作性以及可同时处理基板正反面等方面具有显著优势。若能在解析度方面取得突破，将有望替代液态光刻胶，成为RDL的形成工艺的重要选择。

本次推出的“TA系列”正是基于这一市场需求而研发。通过采用旭化成长期积累的感光性材料技术，并结合全新的材料设计，该系列产品在RDL形成所需的4μm节距设计条件下，利用LDI曝光可实现1.0μm线宽的图案形成，是非常适用于面板级封装※4等微细配线形成的感光干膜材料（见图a、b）。所形成的微细光刻图案，经过SAP（加成法）※5电镀图案形成工艺以及后续光刻胶剥离步骤后，可在4μm节距设计条件下实现3μm线宽的电镀图案形成（见图c）。

通过LDI曝光形成的7µm厚TA系列微细图形示例

(a) 正面视图：干膜形成图形（线宽/线距=1.0/3.0µm）

(b) 斜视图：干膜形成图形（线宽/线距=1.0/3.0µm）

(c) 干膜剥离后横截面图：电镀图案（线宽/线距=3.0/1.0µm）

此外，“TA系列”同样适用于传统的Stepper曝光方式，为日益多样化的微细线路形成工艺提供新的选择。

旭化成在《中期经营计划2027 ～Trailblaze Together～》中将电子业务定位为重点增长业务之一。电子业务由电子材料业务和电子元件业务这两部分组成，“SUNFORT™”作为电子材料业务的核心产品之一，持续推动着公司在高端材料领域的技术引领地位。

未来，旭化成将继续深化感光干膜“SUNFORT™”产品的技术研发，积极应对面板尺寸大型化趋势下日益重要的面板级封装技术需求，助力全球客户实现更高效、更高性能的半导体封装解决方案。

如需了解感光干膜“SUNFORT™”产品的更多详情，请访问旭化成官方网站。

※1：也称为“步进式曝光装置”，是一种将玻璃光罩上的图案以缩小投影方式曝光至晶圆上的方法。

※2：利用激光技术，在基板上实现高速且高精度曝光的方法。

※3：用于连接半导体芯片和电子元器件的中间基板。

※4：在半导体芯片封装过程中，与传统的圆形晶圆不同，采用大型方形面板基板的先进封装技术。

※5：在种子层（化学镀铜或溅射铜）上用抗蚀膜形成非线路图案，通过电镀形成线路，随后通过蚀刻去除多余种子层的工艺方法。