三星首发LPDDR5内存芯片:6400Mbps、功耗降低30%
2018-07-17 10:12:29爱云资讯1260
7月17日上午消息,三星今晨宣布,成功开发出业内首款LPDDR5-6400内存芯片,基于10nm级(10~20nm)工艺。
据悉,该LPDDR5内存芯片单颗容量8Gb(1GB),8GB容量的模组原型也做出并完成功能验证。
其它基本规格还有,内存速度(针脚带宽)最高6400Mbps,是LPDDR4X 4266Mbps的1.5倍。三星称,每秒可以传送51.2GB数据(比如高端手机常见的64bit bus),相当于14部1080P电影(每部3.7GB)。要是PC的128bit BUS,每秒破100GB无压力。
与此同时,功耗比LPDDR4X降低高达30%,主要是得益于动态调节电压、避免无效消耗、深度睡眠等技术加入。
三星的8Gb LPDDR5规格弹性较高,1.1V工作电压下可达6400Mbps,1.05V下可达5500Mbps,供手机、车载平台自行选择。
资料显示,三星在2014年首先成功量产8Gb LPDDR4内存芯片,之后,就开始推进向LPDDR5新标准的过渡。
新的8Gb LPDDR5内存芯片是三星高端DRAM产品线的一部分,后者已经包括10nm级的16Gb GDDR6显存芯片(2017年12月量产)和16Gb DDR5内存芯片(今年2月份开发完成)。
LPDDR5内存芯片将用于移动设备如手机、平板、二合一电脑等,三星称,5G和AI将是其主力服务的场景。
三星将在位于韩国平泽市的工厂量产LPDDR5、GDDR6和DDR5 DRAM芯片。
相关文章
- 火山引擎携手三星,以AI构建智能终端视觉生产新生态
- 三星Galaxy S25系列:一场关于“轻”和“重”的革命
- 智能办公与创新体验双升级:三星Galaxy S25系列深度测评
- 台积电2纳米制程良率表现优异,已遥遥领先三星和英特尔
- 纤薄背后 看三星是如何在Galaxy S25 Edge上实现突破的
- 三星Knox Vault:构建AI时代的隐私安全基石
- 三星Galaxy S25 Edge正式开售 5.8mm纤薄机身 引领美学新风尚
- 新一代超轻薄性能旗舰 三星Galaxy S25 Edge上市开售
- 轻薄旗舰加享预约福利 三星Galaxy S25 Edge开启520专属好礼
- 三星Galaxy S25 Edge搭载瑞声科技UltraSlim方案
- 5.8mm超薄旗舰 三星Galaxy S25 Edge手机发布
- 采用Corning Gorilla Glass Ceramic 2 三星Galaxy S25 Edge耐用性升级
- 岂止纤薄:探秘三星Galaxy S25 Edge的超前沿创新
- 三星9100 PRO PCIe 5.0 NVMe M.2 固态硬盘评测:PCIe 5.0时代的性能巅峰
- 三星宣布Samsung One UI 7将于4月正式推出
- 三星以生态之力,共筑AI未来