宏杉科技亮相2025全球闪存峰会，斩获“2025年度AI与闪存融合应用创新奖”

7月9日,由DOIT主办的2025全球闪存峰会在南京启幕。宏杉科技受邀发表主题演讲,与在场专家、企业代表围绕存储接口协议与阵列控制器芯片的前沿发展展开深度对话,并凭借在AI领域的突破性创新斩获“2025年度AI与闪存融合应用创新奖”。

创新突破,定义AI存储新标杆

2025年被业内称为“AI智能体元年”,在AI算力需求爆发式增长的背景下,存储性能成为制约智能体训练效率的关键瓶颈。本次“闪存风云榜”的评选,旨在表彰在AI与闪存融合领域实现创新突破的产品。

宏杉科技MS5520G3-AF全闪存储凭多重优势脱颖而出:以200万IOPS、90GB/s带宽突破算力瓶颈;依托大容量NVMe QLC SSD降低60%TCO;配合自适应重删等技术提升84%资源利用率;更融合AI算法实现智能运维,效率提升超90%,获得评审的一致肯定。

本次获奖,是对宏杉科技在AI存储领域积极创新的认可,更凸显了其在推动AI存储技术革新与产业升级方面的标杆作用。

技术深潜,从“芯”到“端”驱动性能革命

在峰会举办的“存储接口与控制器技术论坛”上,宏杉科技产品部副部长陈佳豪发表题为《从“芯”到“端”,宏杉全闪存驱动存储性能革命》的演讲,结合AI时代数据应用对存力的需求,深入解析了宏杉科技如何通过多维度技术创新实现存储性能的跃升:

到2030年,全球数据量将突破1000ZB,而AI大模型正成为数据爆炸的核心引擎。当前,传统存储正面临三重核心挑战:硬件潜力难以释放、软件栈效能优化不足、性能无法零损耗转化为业务价值。

“存储系统是精密协作的F1车队——芯片是引擎,接口是变速箱,控制器是指挥,软件是车手。”基于这一理念,宏杉科技通过“芯-智-端”的协同创新,着力打造一支“冠军车队”:

1.芯片硬核:释放硬件极致潜能

要将存储性能发挥到极致,就要让控制器芯片各司其职,并确保介质和接口的领先性。

宏杉科技G3系列全闪存储搭载第五代Intel至强可扩展处理器,数据处理性能提升150%;每控制器配备160条PCIe 5.0通道,I/O总带宽较上一代提升5倍,配合DDR5高速内存,构建强大“存储引擎”。

此外,G3系列全闪存储中可部署多种控制器芯片,包含SAS、PCIe、RDMA等,各芯片之间高效协同,充分释放存储的硬件潜能。

2.软件智能:优化效能与管理体验

存储系统的软件创新,是充分发挥硬件性能的必要条件。

宏杉科技G3系列全闪存储提供多维度QoS保障,从IOPS、带宽、延迟等多方面保障关键业务性能资源充足。

同时搭载专利的闪存荷尔蒙技术,利用满条带刷写的机制,规避了RAID写惩罚和条带冲突,大幅提升全闪存性能。

空间管理方面,采用自适应重删技术,可根据业务负载自动切换在线/后台模式,平衡存储性能与空间占用;结合AI算法的管理平台,能实时监测性能、预测故障,让运维从“被动响应”转向“主动预防”。

3.端口优化:构建无损耗性能通道

端口是数据传输的关键枢纽,当前,NVMe over Fabric的应用,为打破性能瓶颈提供了解决方案。

宏杉科技G3系列全闪存储全面支持NVMe over RoCE和FC-NVMe架构,打造端到端NVMe高速链路,实现微秒级传输时延与毫秒级故障切换。“传统SCSI架构的延迟瓶颈被彻底打破,数百GB/s的业务带宽足以支撑AI训练、高性能计算、机器学习等关键场景。”

身处“存力觉醒”的AI时代,宏杉科技正持续推动存储性能与AI算力的协同进化。未来,宏杉科技将继续深化与产业链伙伴的合作,加速存储技术创新,共同驱动AI未来。