得益于骁龙 8 Elite Gen 5，Galaxy S26 系列明年或许终于能迎来存储升级

（AI云资讯消息）骁龙8 Elite Gen 5和前代产品骁龙8 Elite之间存在诸多差异，其中最显著的一点是对更快存储速度UFS 4.1标准的支持。得益于这一重大变革，Galaxy S26的性能和效率有望得到提升。

有传闻称三星正在为未来高端智能手机研发UFS 5.0存储技术，但预计UFS 4.0类别将首先出现在新款手机中，首当其冲的便是骁龙8 Elite Gen 5支持的UFS 4.1。随着智能手机端侧AI能力的不断提升，需要三星等制造商确保设备配备顶尖硬件，以应对这些高要求的运算任务。

三星通常从美光采购RAM芯片，Galaxy S25系列就一直采用这家供应商的产品。美光今年3月份发布了UFS 4.1技术，双方就此部件达成合作。虽然UFS 4.1并非对UFS 4.0的颠覆性升级，但它带来了多项改进：根据工作负载情况，通过动态缓存调整技术可缩短启动时间并增大缓存容量，同时还能实现更快速的闪存错误恢复。

Galaxy S26的UFS 4.1升级将得益于骁龙8 Elite Gen 5的支持，但三星预计也将在今年年底前为旗舰智能手机推出Exynos 2600。不过，目前三星尚未确认首款2纳米GAA芯片组是否会支持UFS 4.1，但根据已知信息，三星Exynos 2500已支持UFS 4.0存储规格，这让消费者对新一代芯片支持更新标准抱有极大期待。

不过，智能手机厂商常常为提升利润而压缩成本。三星Galaxy S25的128GB版本就采用了速度较慢的UFS 3.1存储技术，消费者若想获得更快速、更高效的UFS 4.0存储体验，则需购买256GB版本。

总结来说，即便Galaxy S26系列将搭载骁龙8 Elite Gen 5，也未必意味着这三款旗舰机型都能用上UFS 4.1技术。