韩国半导体工程师协会预测0.2纳米芯片与单片三维堆叠技术有望在十五年内实现突破

（AI云资讯消息）韩国半导体工程师协会在《2026半导体技术路线图》中公布了未来15年硅基半导体发展预测。三星近期刚刚宣布将于2026年推出全球首款2纳米GAA架构芯片Exynos2600，但预测显示到2040年半导体电路将突破0.2纳米，正式进入埃米（Å）时代。要实现亚1纳米晶圆的技术跨越，未来十余年间仍需攻克大量技术鸿沟与障碍。

韩媒报道指出，《2026半导体技术路线图》旨在助力强化半导体长期技术与产业竞争力，激活学术研究体系，构建人才培养战略。半导体工程师协会发布的路线图涵盖九大核心技术领域：半导体器件与制程、人工智能芯片、光连接芯片、无线连接芯片传感器、有线连接芯片、功率集成电路、先进封装以及量子计算。

目前最先进的制程技术当属三星的2纳米全环绕栅极技术，不过据称三星已规划了该制造工艺的升级版本。例如，三星已完成第二代2纳米GAA节点的基础设计，据报告将在两年内应用其第三代2纳米GAA技术SF2P+。预计到2040年，0.2纳米工艺将采用新一代晶体管结构——互补场效应晶体管，并实现单片三维集成设计。

作为韩国下一代半导体制造领域的领军企业，三星据称已组建专项团队启动1纳米芯片研发，并将2029年设定为量产目标。相关技术升级不仅将应用于移动系统芯片，同时将推动DRAM内存电路线宽从11纳米缩减至6纳米，而高带宽内存预计将从12层堆叠、2TB/s带宽提升至30层堆叠、128TB/s带宽。

在NAND闪存领域，SK海力士已研发出321层QLC技术，而半导体技术进步将使QLC NAND实现2000层堆叠。最后，当前AI处理器虽已能达到每秒10万亿次运算，但报告指出十五年后或将出现具备每秒1000万亿次学习算力与每秒100万亿次推理算力的芯片。