宽禁带半导体竞逐升维：规模化制造与系统创新定胜负

行业数据显示，2025年第三季度全球电动车碳化硅（SiC）逆变器装机量同比增长22%，达到约150万台。这不仅意味着单一产品的市场增长，更揭示了一个明确的趋势：以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的第三代宽禁带半导体，正跨越技术验证阶段，迈入规模化应用与产业竞争的关键时期。市场信息显示，低压GaN器件采用量实现数倍增长，SiC器件采用量亦成倍提升，一场由高效能半导体驱动的产业升级浪潮已然到来。

应用落地加速，GaN与SiC双线突破

技术的价值最终体现在应用层面。当前，GaN凭借其高频、高效的特性，正快速渗透多个高增长领域。在数据中心，为应对AI算力带来的惊人功耗，基于800V高压直流架构的GaN解决方案已成为提升功率密度的关键。国内厂商英诺赛科推出的第三代GaN技术，据称可将功率模块的功率密度提升一倍，同时显著降低损耗。在新能源汽车领域，GaN已成功应用于车载充电器，部分国内车企的量产方案已实现效率、功率密度与轻量化的综合提升。甚至在光伏领域，采用GaN双向开关的微型逆变器也已面世，其通过简化电路架构，在提升转换效率的同时降低了系统成本。

图片来源：英诺赛科官网

另一方面，SiC继续巩固其在高压、大功率场景中的统治地位。其技术突破沿着两大主线展开：一是制造端，12英寸大尺寸SiC衬底技术的进展（如Wolfspeed及国内企业的突破）是降低芯片成本、扩大产能的基础；二是器件端，三菱电机等公司推出的沟槽型SiC MOSFET结构，相比传统平面器件能显著降低导通损耗，这意味着电动汽车的续航能力可能更强，光伏逆变器的发电效率可以更高。

竞争焦点转移：从单点性能到系统级创新

行业竞争的底层逻辑正发生深刻演变。早期的较量多集中于器件本身的性能参数，而如今战火已蔓延至系统级创新和规模化制造能力两大核心战场。

工程师的设计理念也从追求单一器件性能最优，转向对效率、成本、体积、可靠性等多维度的全局平衡。例如，GaN的高频优势虽显著，但也带来了电磁干扰与热管理的挑战。因此，能够提供“器件+驱动+封装”协同解决方案的企业，正获得更多市场青睐。同样，SiC的普及不仅需要先进的芯片，更需要与之匹配的栅极驱动、高效散热设计和可靠的模块封装。这意味着，产业链的协同与整合能力变得前所未有的重要。

与此同时，制造规模与成本控制成为另一大决胜点。大尺寸晶圆（如12英寸SiC衬底、8英寸GaN-on-Si外延）的产业化进程，直接关系到终端产品的成本竞争力。业界领先企业正通过技术联盟、扩大资本投入来巩固制造优势，因为这是实现技术普惠和市场规模扩张的根本。

12英寸碳化硅衬底实现厚度均匀性（TTV）≤1μm，图片来源：晶盛机电官网

行业盛会聚焦未来，共探规模化落地路径

面对从技术到制造、从器件到系统的全方位竞逐，行业亟须一个汇聚全球智慧、链接产业生态的平台，以共同应对挑战、把握机遇。将于2026年8月26日至28日在深圳国际会展中心举办的PCIM Asia Shenzhen 2026（深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会），正是这样一个关键枢纽。

本届展会精准贴合产业发展趋势，汇聚全球超300家领军企业，集中展示前沿产品与技术解决方案。同期，主论坛“功率半导体新锐峰会”及多场主题分论坛免费开放，聚焦先进宽禁带半导体核心赛道，以“技术深潜、产业协同、趋势前瞻、精准对接”为核心价值，直击功率半导体产业链最关注的关键议题，深度洞察国际前沿技术走向，同步呈现国产宽禁带半导体最新进展，为行业技术决策者、科研带头人及产业投资者，提供可落地的战略参考与高效资源对接平台。

尤为重要的是，PCIM Asia Shenzhen 2026立足于华南——全球最大的电子产品制造与创新应用集群之一，天然具备连接全球先进技术与庞大终端市场的优势。它不仅展示前沿产品，更通过“产学研交流专区”“电气化交通产业链专区”等特色设置，促进从材料、器件、模组到整机的全产业链对话与合作，加速创新成果的商业化落地。

宽禁带半导体的规模化竞逐已全面展开，这既是技术创新的赛跑，也是产业链生态的构建。在这一进程中，行业交流平台的价值不仅在于信息传递，更在于促进跨领域协作，共同推动电力电子技术的革新与突破。可以预见，在开放协作的浪潮之下，中国电力电子产业将加速驶向高性能、高可靠性的新蓝海，为全球绿色能源变革注入强劲的“芯”动力。