三星UFS 3.1闪存实现量产：写速提升200% 5G旗舰机标配

3月17日消息，三星电子今日宣布，已经开始大规模生产面向智能手机的512GB嵌入式通用闪存eUFS 3.1。

UFS3.1是固态技术协会（JEDEC）发布的一种闪存存储规范，对比前一代UFS 3.0，UFS3.1的写速提升了200%，达到了惊人的1200MB/s，连续读取速度可达2100MB/s，随机读取和写入速度分别为100,000 IOPS(每秒输入/输出操作)和70,000 IOPS，在读写速度上都有着明显的提升，不论是文件传输效率或者应用的启动速度，都能得到全面的提升，让用户获得更好的使用体验。

UFS3.1被认为是2020年旗舰手机首选，它可以更好的适应8K视频拍摄、高像素相机以及5G应用场景。三星表示，其已经开始在西安的新生产线（X2）量产第五代V-NAND，以完全满足高端智能手机市场的存储需求。