镓未来 Gen3 平台重磅发布｜六大核心突破，助力功率半导体产业再度升级！

在全球碳中和战略深入推进的关键节点，第三代半导体正成为突破能源转换效率瓶颈的核心力量。珠海镓未来科技有限公司Gen3技术平台650/700V系列场效应晶体管（FET）近期正式宣布全面推广上市！该系列产品将从器件可靠性、效率最大化、应用集成度等方面重新定义功率半导体性能边界，其核心突破将为消费电子、新能源汽车、光伏逆变器等多领域带来革命性的能效跃升。

Gen3 技术平台亮点

技术跃升（相较 Gen2）：打破性能边界的六大核心突破

卓越栅极性能：兼容传统驱动架构

Gen3 技术平台采用创新栅极设计，实现所有宽禁带器件中最强的栅极鲁棒性，栅极驱动简单且与传统 Si MOSFET 完全兼容。这一特性使现有产线无需大规模改造即可实现技术升级，显著降低客户导入成本。

超低反向电压降：同规格产品最低水平

Gen3 技术平台实现同规格产品最低的反向电压降特性，较行业平均水平降低25%，显著减少续流损耗。在高频开关应用中，这一优势可使整体系统效率提升0.3-0.5个百分点，特别适用于新能源汽车主逆变器和高频 DC/DC 转换器。

芯片面积持续优化：DPW 相对 Gen2 优化33%

通过引入新工艺设备，Gen3 平台成功攻克了老产线的制造桎梏。我们采用更紧凑的互连结构与低延迟栅极优化布线，显著降低了互连部分占地面积。凭借工艺与结构的协同创新，平台 DPW 相对提升33%，FOM 相对优化15%，达成了更小尺寸与更强性能的完美统一。

产品效率跃升：器件损耗相对降低5%**

在约2500W的输出功率（P-out）下，效率高达99.3%，进一步实现性能跃升。（**是指在测试电路 Boost 半桥升压电路 240Vin-400Vout 中得到）

热性能优化：持续稳定运行的最优解

在最大输出功率约7700W的严苛条件下，相同 Rds(on) 器件实测温升降低8.6℃，相对降幅高达66%。显著提升系统在持续高功率运行时的稳定性和寿命。

ESD 能力增强：较上一代相对提升50%，全面实现≥2000V（HBM&CDM）

封装类型：近20种封装满足全场景应用

Gen3 技术平台提供全面的封装解决方案，覆盖从消费电子到工业级应用的全场景需求：

支持包含TO-247-3/4L、TO-220、TO-252-3/4L、DFN8x8-8L、PQFN8x8-2L、TOLL、TOLT、TO-247PLUS-4L、QDPAK等全系列近20种封装。

八项核心技术特点：构建差异化竞争优势

D-mode GaN 低损耗封装：采用创新封装结构，寄生电感降低30%，高频开关性能优异；

调速 GaN 功率器件：可灵活调节开通速度而不增加开通延时，同时不牺牲效率，适配不同应用场景的动态需求；

无损电流采样器件：集成高精度电流检测功能，无需额外采样电阻，提高系统效率；

合封 IC 技术：将驱动电路与功率器件集成，简化外围设计，缩小应用体积；

ESD 增强设计：全面实现 HBM 与 CDM 模式下≥2000V的静电防护能力，可靠性进一步巩固；

双向器件结构：单一芯片实现双向导电功能，简化双向变流器拓扑；

内绝缘封装技术：模块内部集成隔离设计，提高系统安全性，降低散热需求；

车规级可靠性：完全符合汽车 AEC-Q101 标准。

应用领域：多元生态场景释放能效革命红利

Gen3 技术平台凭借卓越性能，已覆盖多个战略领域，将为各行业带来更多颠覆性的能效提升。

【消费电子】

镓未来已与联想、大疆、LG、惠普、台达、小米等多家 PD 快充适配器头部企业达成量产合作，助力多款“小体积、大能量”适配器走进用户生活，持续推动高效、高速的科技发展浪潮。

【工业与能源】

镓未来凭借业界首款3.6kW双向储能逆变器及效率高达98%的3kW通讯电源等成果，奠定了在工业与能源领域的稳固地位。

【交通电动化】

镓未来 G3E65R009 系列——全球 Rdson 最小的650V氮化镓分立器件，IDS (pulse)实测可达1500A，是全球通流能力最大的 GaN 分立器件，目前已与多家头部车厂及供应商开启研发验证。

此外，镓未来 Gen3 系列产品的应用已广泛覆盖LED 照明、高性能计算、家电与电机等多个领域。同时，面对 AI 等智能化领域的快速发展，公司正通过持续的技术迭代与产业升级，积极开拓新的合作机会与技术切入点。

镓未来 Gen3 系列产品凭借其卓越的可靠性、更高效率与更小体积，正日益成为电源设计工程师的优选方案，助力合作伙伴实现更高效、更便携、更稳定的产业升级。

关于镓未来

珠海镓未来科技有限公司是行业领先的高压氮化镓功率器件高新技术企业，致力于第三代半导体硅基氮化镓(GaN-on-Si)器件的研发与产业化，在国内率先实现全功率范围氮化镓器件的量产。其开发的产品具有使用简单(兼容 Si MOSFET 驱动)、可靠性高、性能参数领先等优点，包含 PQFN、DFN、TOLL、TOLT、TO-252-3L/4L 等贴片类以及TO-220(F)、TO-247-3L/4L 等插件类在内的全系列封装外型，是高效、节能、环保的新一代功率器件。丰富的应用方案包括 PD 快充适配器、PC 电源、电动工具充电器、电机驱动、超薄 TV 电源、新国标 EBIKE 电源、LED 驱动电源、储能双向逆变器、电池化成电源、ICT 服务器电源、算力电源、车载双向 DC-DC 等。

自2020年成立以来，镓未来申请和已获专利近60项，并获得多项荣誉与资质，包括：2022年度本土创新创业团队一等奖、国家级“高新技术企业”、广东省“创新型中小企业”、广东省“专精特新”中小企业、“氮化镓器件900V系列产品”与“650V/035mΩ大功率产品”被评为省名优高新产品、澳门 BEYOND Award 消费科技创新大奖、2023年度创客广东半导体与集成电路专题赛企业组一等奖、2022~2023连续两年获得中国半导体市场最佳产品和最佳解决方案奖、2023~2025连续三年获得最佳功率器件/宽禁带器件奖。

镓未来总部位于横琴粤澳深合区，致力于新一代功率氮化镓芯片的设计与开发；深圳子公司则聚焦在产品的应用和市场拓展，在上海的分公司和杭州的华东应用中心，可以为客户提供全方位的售前售后支持。镓未来以“打造和普及一流的氮化镓产品”为使命，立志为业界提供“最好用最可靠”的氮化镓产品。